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簡要描述:碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶體尺寸:~10毫米電氣性能:拓撲絕緣體的晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶體類型:合成晶體純度:>99.995%
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碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride)
晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶體尺寸:~10毫米
電氣性能:拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride)
晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶體尺寸:~10毫米
電氣性能:拓撲絕緣體的
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
XRD of a single crystal Bi2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
EDX of a single crystal Bi2Te3.
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