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二硫化鉬晶體（合成/2H）

Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes in bulk.

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更新日期：2024-06-03

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硫化鉍 Bi2S3 （Bismuth Sulfide）

晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9 晶體類型：合成晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測(cè)量

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二硫化鈮晶體 NbS2（2H-Niobium Disulfide）

二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：2毫米電學(xué)性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system. 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%

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三硫化鈮晶體（百分之99.995） NbS3

三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3 晶體類型：合成晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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三硫化鐵（磷摻雜）晶體（百分之99.995）

三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3 晶體類型：合成晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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三硫化錳（磷摻雜）晶體（百分之99.995）

三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3 晶體類型：合成晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

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