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二硒化鉭晶體 2H-TaSe2 （Tantalum Selenide） 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：Metal, Charge density waves （CDW） system at ~120K, Superconductor （Tc ~0.1K） 金屬，電荷密度波（CDW） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.342 nm, c = 1.2

硒化鈦 1T-TiSe2（Titanium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.354 nm, c = 0.601 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化釩晶體 VSe2 （Vanadium Diselenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化鋯晶體 ZrSe2 （Zirconium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學(xué)性能：半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

晶體尺寸：亞毫米大小 電學(xué)特性：金屬 晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本? 晶胞參數(shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90°，β= 102.87 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX